常用基本电路保护设备的详细说明

作为电子工程师，您应该擅长电路，但至少您可以理解电路并知道电路保护设备的作用。当客户提供保护需求时，他们应及时提供更正意见的有效性和实施。本文的上述地址：电路保护组件具有广泛的应用。只要有电力，就必须安装电路保护组件，例如各种家用电器，视听产品和数字产品，个人护理以及其他电子消费者，计算机及其周围，手机及其周围环境，照明，医疗电子，自动电子，自动电子，电力，电力，工业设备以及活着的人。电路保护有两种主要形式：过电压保护和过度保护。选择适当的电路保护设备是实现良好可靠电路保护的关键n设计。在选择电路保护设备方面，我们应该知道每个电路保护设备的作用。选择电路保护设备时，我们应该意识到保护电路不应干扰受保护电路的正常行为。此外，它还应防止整个系统重复或不重复不稳定行为的原因。闪电过电压保护设备分为夹具类型的过电压设备和类型过电压设备的传输。移动过电压设备是已知的蛋白设备，这些设备可以照明套件：陶瓷气体排放管，半导体放电管和玻璃排放管；夹具类型的过电压设备包括瞬态二极管抑制作用，各种变量，芯片变种和ESD放电二极管；过多的设备主要是PTC组件中的恢复保险丝。以下是它们的特定功能：1。管的功能功能：释放管通常在TH中使用E在多阶段保护电路中的第一或前两个阶段，闪电通风到过电流和限制过电压。排放管通过将电压限制在较低水平来发挥保护作用。 Shuokai电子释放管道分为气体释放管和实心管道。气体泄漏管道主要是玻璃气体排放管处的陶瓷气体排放管。选择特定应用程序中的管道类型和模型的类型要求工程师根据产品的部分保护级别和相关选择参数来确定它们。 2。瞬态二极管抑制：在接下来的-12秒内，在低阻抗中以10的速度以10的速度在两个杆子之间具有很高的阻抗，从而吸收了撞击的力量，最高为几千瓦时，因此，两极之间的电压在预定的值中受到了众多的元素的影响，在预定的价值中受到了众多的损害，这些元素会在元素中的元素造成元素的范围，这些元素的元素是元素的元素。 3。构型函数：Veristor是限制电压的保护设备。电路保护主要使用Varistor的非线性表征。当两个变种极线之间发生过电压时，标式器可以将电压夹紧到相对固定的电压，从而实现后续电路的保护。 4。芯片变量函数：芯片变量主要用于保护组件和电路，以防止电源，控制和信号线中产生的ESD。 5。ESD静电放电二极管的功能：ESD静电排放二极管是一种过电压，反静电保护元件，并且是用于高速数据传递应用程序I/O端口保护的设备。 ESD保护设备用于预防电子设备敏感电路受ESD（静电放电）的影响。它可以提供非常低的容量，出色的测试线测试（TLP）和那些EIC6100-4-2的测试能力，尤其是在多样本数量之后1000，从而改善了敏感电子组件的保护。 6。PTC自我恢复保险丝的功能：当电路正常工作时，其电阻值非常小（电压塌陷很小）。当电路的过电流升高其温度时，电阻量通过多个数量级急剧增加，从而将电路中的电流降低到安全量以下，从而保护了后续电路。维修后，PPTC组件会迅速冷却并返回其原始的低电阻状态，可以像新的PPTC组件一样重新制作。 7。电感器的作用：我相信每个人都知道电磁学之间的关系。电感器的操作是电路ISAT的开始，并且所有情况仍然不稳定，如果电流传递到电感器，则肯定会发展到电流方向的强制性电流（电磁诱导法拉第定律）。电路在一段时间内运行后，一切都稳定，电流没有变化。电磁诱导不会发展电流。目前，它将是稳定的，没有突然的变化，从而确保了电路的安全性。像水车一样，由于抵抗力，它开始缓慢旋转，但最终它正在慢慢变得平静。另一个电感器操作是通过直流并阻止AC。它并不习惯它，我不确定如何使用它。我将在使用8时与您共享。磁珠的运行：磁珠具有高电阻率和渗透性，该系列中的电阻和电感器的含量，但是电感器值随频率的变化和变化。它具有比普通电感器更好的高频滤波特性，并且显示出对高频的抵抗力，因此可以在相对较宽的频率范围内保持更高的阻抗，从而改善了频率调制过滤器的影响ing。它用于以太网芯片。让我们详细地谈论二极管的基础 - 分类，应用，特征，原理，特征和参数二极管的应用。半导体二极管用于几乎所有电子电路。他们在许多电路中都起着重要的作用。它们是最早的半导体设备之一，也被广泛使用。二极管的应用1。整流器二极管使用二极管单向电导率ufurther将交替交替的交流电流转换为单个方向脉动直流电流。 2。开关元件二极管的电阻在正向电压下很小，并且处于传导状态，等于开关。在反向电压下，电阻是压倒性的，并且在关闭状态下，就像断开的开关一样。使用二极管传输属性，可以开发不同的电路电路。 3。限制元件的二极管是向前导电的，向前电压倒塌SE通常保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。对于此功能，作为电路中的限制元素，信号振幅可能仅限于一定范围。 4。继电器电流二极管在电源传递和电感Nagslo载荷（如继电器）的传递中起继电器电流作用。 5。探测器二极管在无线电上扮演着无线电发现的角色。 6。二极管变量容量用于电视的高频负责人。关于晶体二极管原理的工作是由P型半导体和N型半导体产生的P-N结。在其界面的任一侧形成了一层空间电荷，并建造了一个自建造的电场。当不存在电压时，由P-N交界处的两个侧之间的载体浓度差和由田间自身构建的漂移引起的扩散是相等的，并且处于平衡状态。当外界有向前电压偏见时，彼此之间的距离，去除外部电场和自我建造的电场会增加当前载体的爆炸，并导致向前的电流。当外界存在反向电压偏置时，基于其自身建造的电场和磁场将进一步加强，形成反向饱和电流I0 I0独立于一定电压范围内的反向偏置电压值。当施加的反向电压达到一定水平时，P-N结空间电荷层中的电场强度达到了临界值，以产生重现载体，形成大量电子孔对的过程，并形成反向分解电流，称为Diodes的分解现象。有许多类型的二极管。根据所使用的半导体材料，它们可以分为锗（Ge管）和硅二极管（管）。根据其各种用途，可以将其分为检测器二极管，电压稳定的二极管，二极管的二极管，二极管的转移，单独的二极管，schottky二极管，二极管的照明等。根据模结构，可以将其分为接触，接触接触，接触二极管和平面二极管。点接触二极管是一条非常薄的金属线，压在光滑的半导体晶圆上，脉冲电流用于使接触线的一端制成一端，并且将晶圆紧紧烧结在一起，以产生“ PN连接”。因为它接触了点，所以允许一个小电流通过（不超过几十毫安），并且适用于高频小电流电路，例如无线电检测等。它主要用于将AC转换为DC的“整流”电路中。平面二极管是硅的特殊二极管。它们不仅是Maibig Wave，而且还具有坚实而可靠的性能。其中大多数用于开关，脉冲和高频电路。 1。半导体二极管CLASssify PN的交界处主要取决于结构。一般二极管范围也包括与PN连接不可分割的Schottky接触和Schottky类型。与这两个模型一起，根据PN结构的构造特性，二极管晶体被分类如下：1。点接触二极管点触点二极管二极管二极管是通过用单个晶锗或硅材料的金属针形成的，然后通过当前方法形成的。因此，其PN连接的静电容量很小，适用于高频电路。但是，与表面的连接类型相比，很难进行点接触点的正向和倒置特性，因此不能用于高电流和校正。由于其简单的结构，它便宜。它是一般使用小信号的广泛应用，例如发现，校正，调制，混合和限制。 2。粘结二极管键二极管类型是由晶晶片或硅的单个晶片中的焊接或银色丝形成的。它的特性是在点接触二极管和合金二极管之间的。与类型的接触类型相比，尽管键二极管的PN连接电容器的值略有增加，但是正向特性尤其出色。它通常用作开关，有时用于发现和电源（不超过50mA）。在键键类型中，焊接金线的二极管有时称为一种金键，二极管焊接银线有时称为一种银键。 3。合金二极管是通过在单个N型也或硅晶体中通过合金粘合剂和铝制造PN连接而形成的。正向电压塌陷很小，适用于高电流校正。由于其PN连接在反转时具有主要的静电能力，因此不适合高频检测和高频NCY校正。 4。在高温P型燃料下，二极管扩散食用N型也或硅单晶，将一部分单晶表面转换为P型，从而使PN连接处。由于PN连接电压电压很小，因此适用于目前校正的眼睛。最近，使用高电流整流器的主流已从硅柱类型转移到硅类型的类型。 5。尽管使台面二极管PN连接的方法与扩散类型相同，但仅保留PN连接及其所需部分，并且不必要的部分已经是药物的 - 果实。其余的是桌子的形状，因此是名称。在第一阶段产生的台面类型是通过半导体材料中的蝎子程序制成的。因此，此台面类型称为扩散的台面类型。对于这种类型，似乎有一些用于高电流校正的产品模型，而许多产品模型小型电流开关。 6。平面二极管在半导体solong晶圆（主要是N型硅单晶片）中传播P型杂质，并使用氧化物膜对硅晶片的效果仅分布仅在N型硅单晶片中形成的PN连接的一部分。因此，无需调整PN连接区域腐蚀的影响。半导体表面是平坦的，因此被命名。此外，由于PN的结合表面被氧化物膜覆盖，因此被广泛认为是具有巨大稳定性和寿命的一种。最初，使用的半导体材料是通过外延法形成的，因此平面的类型称为外延平面的类型。对于平面二极管，似乎很少有用于高电流校正的模型，而许多模型用于小型电流开关。 7。合金扩散二极管是一种合金。一材材料易于传播。通过很难的出色掺杂材料可以在合金上过度冲洗，以获得形成的PN连接中杂质浓度的适当分布。该方法适合使高灵敏度变体二极管。 8。外延二极管使用长期外延表面的过程使PN连接产生的二极管。制造时需要非常适合的技术。因为它可以在随意控制各种杂质的分布中，因此适用于制造高敏化变量二极管。 9。肖特基二极管的基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅晶片）之间的接触表面上，使用的Schottky用于阻断反向电压。在纠正Schottky和PN连接处的原则上有Majordference。该电压不仅是40V。它的专业是：移动速度非常快：反向恢复时间TR特别短。因此，二极管和低压高电流整流器二极管的转移可以是m阿德。 2。使用使用率1。原则上，发现二极管用于从输入信号中提取调制信号以检测发现。以固定电流（100mA）作为边框的大小，电流输出通常称为检测。锗材料的接触点类型可以达到400MHz，小的正向电压，小连接容量，发现效率很高，频率特性也不错。这是2AP类型。用于检测的二极管（例如触摸类型）可以在电路上使用，例如发现振幅，除了使用进行发现之外，还可以用于限制，剪切，调制，混合和移动等电路中。还有两个专门用于检测调制频率的二极管组件。 2。原则上的整流二极管，输入AC的直流输出是整流器。将固定电流（100mA）作为边框的大小，如果输出电流大于100mA，则通常称为整流器。泰pe of surface junction has an operating frequency below KHz, and the maximum reverse voltage ranges from 25 volts to 3000 volts in total A to X. Classification is as follows: ①silicon Semiconductor rectifier diode 2cz type, ②silicon bridge rectifier QL type, ③2Clg type Silicon stack frequency frequency of almost 100khz for TVs. 3。二极管限制。大部分二极管可以用作限制。二极管也有特殊的限制，例如保护仪器和高频齐纳斯。为了使这些二极管在限制锋利幅度方面具有特别强大的效果，通常使用由硅材料制成的二极管。还有要出售的成分：根据电压需求，许多必需的整流二极管连接到该系列以生成整体。 4。调制的二极管通常是指专用于环调制的二极管。它是四个具有良好积极特征的二极管的组合。尽管其他变量二极管具有调制的目标，但通常是使用D直接作为频率调制。 5。当将二极管混合用于混合二极管时，肖特基和点接触的二极管通常以500至10,000Hz的频率使用。 6。通过二极管加强扩增二极管，这些二极管通常依赖于诸如隧道二极管和散装效应二极管等负电阻器件，并使用变体二极管加强参数。因此，扩增的二极管通常是指隧道二极管，散装效应的二极管和变体二极管。 7。开关二极管包括在低波（10mA级别）上使用的逻辑操作和在-Milliamp的路上使用的开关二极管。带有小波的二极管通常是相对类型的接触和主要类型，并且还有一种硅，桌子和平面二极管，也可以在高温下运行。移动二极管的专长是他们迅速移动。 Schottky二极管移动时间非常短，因此他们正在挑选二极管。 2AK类型接触用于中速开关CIRcuit; 2CK平面类型接触用于高速开关电路；用于移动，限制，夹紧或检测电路； Schottky（SBD）硅高电流开关，其正向电压很小，快速速度和高效率。 8。可变电容器二极管用于自动控制频率（AFC）和调音。小二极管被称为变体二极管。日本制造商还有许多其他名称。通过施加反向电压，PN连接的静电容量被损坏。因此，它用于自动频率控制，振荡，频率调节和调音。通常，尽管硅是扩散的二极管，但特殊的二极管（例如TypeAlloy Blast，类型的外延键），但也可以使用扩散的类型，因为这些二极管的静电能力变化速率在电压上特别大。连接电容器随反向电压VR而不是可变电容器而变化，并且被使用S调节环，振荡电路和相锁环。它通常用于频道转换和调整电视的高频电路，通常由硅材料制成。 9。频率乘法二极管的增殖频率取决于变体二极管的频率，二极管的频率增加取决于步骤（即快速变化）。用于添加频率的变量二极管称为变量反应器。尽管可变反应器具有与自动频率控制的变量二极管相同的工作原理，但反应器结构可以承受高功率。二极管步骤也称为步骤恢复二极管。从传导到OFF时，反向恢复时间TRR很短。因此，它的优势是，快速关闭的过渡时间明显较短。如果将电影波应用于二极管步骤，则因为TT（换档时间）很短，因此输出波形突然被捏住，，可以形成许多高频谐波。 10。电压调节二极管是代替电压调节的电子二极管的产品。这是使用一种扩散或硅柱类型完成的。曲线的反向分解特征正在发生巨大变化，这是一个二极管。作为对照电压和标准电压制成。二极管kapit的末端电压（也称为齐纳电压）的工作量约为3V至150V，每10％可以分为多个级别。在权力方面，也有从200MW到100W以上的产品。使用硅材料制成的反向分解状态，动态RZ电阻很小，通常为2CW。将两个辅助二极管倒置连接，以降低2DW型温度系数。 11。销二极管（销二极管），这是一种晶体二极管，该二极管用n的P和区域之间的固有半导体（或浓度低浓度杂质的半导体）构建。由于少数载流子的存储和对“特征”层的跨时间效应，其工作频率超过100 MHz，其二极管失去了校正效果，并成为阻抗元素的一种，并且其阻抗值在偏置电压下的变化。当零偏见或直流反向​​偏置时，“特征”区域的阻抗非常高；当直流向前偏置时，“特征”区域被形容到“特征”区域，并且“特征”区域以低阻抗状态显示，由于载体注入而显示出较低的阻抗状态。因此，销二极管可以用作阻抗的可变元素。它通常用于高频开关（即微波开关），相移，调制，限制电路和其他电路。 12.雪崩二极管是一种晶体管，可以在施加电压的作用下产生高频振荡。高频振荡的工作原理是：使用雪崩故障将载体注入晶体。因为载体需要一定的OR来越过晶圆，当前它们的滞后在电压后面，并且发生延迟时间。如果在转移时间后正确控制，则电阻的负面影响将在电流和电压之间发生，从而导致高频振荡。它通常用于微波场的振荡电路中。 13.隧道二极管（隧道二极管）这是一种晶体二极管，其电流效果是主要电流成分。其底物上的材料是砷耐加仑和锗。其P型区域的N型区域高度掺杂（即高浓度的杂质）。当前的隧道是由这些衰减半导体的机械效应量形成的。隧道的效果受到以下三个条件的约束：①费米能级位于带的传导和整个频带上； ②空间电荷层的宽度应狭窄（低于0.01微米）；孔和电子在P型和N型变性，半导体区域可以重叠相同的能级。 Ezaki二极管是两端的活动设备。它的主要参数是当前峰值与valley（IP/PV）的比例，其中下标“ p”代表“高潮”；下标“ V”代表“山谷”。 Ezaki二极管可以在低噪声中使用高频放大器和高频振荡器（它们的工作频率可以到达毫米频段），也可以在高速开关电路中使用。 14。快速关闭（步骤恢复）二极管（步长二极管）这也是带有PN连接的二极管。它的结构是：PN连接的陡峭分布区域，因此形成了一个“自助电子场”。由于PN连接处在正向偏置电压下进行少数载体，并具有在PN连接附近存储电荷的作用，因此这种反向电流需要经过“存储时间”，然后才能将其降低到最小值（反向SAT SAT电流值）。步骤恢复步骤的“自助电场”较短，允许迅速切割反向电流，并形成丰富的谐波物质。这些谐波成分可用于设计电路电路。快速关闭（步骤恢复）用于脉冲和较高的谐波电路。 15。Schottky屏障二极管（Schottky Barrier二极管）这是具有Schottky“金属半导体连接”的特性的二极管。 PAS启动电压低。除材料外，其金属层还可以由黄金，钼，镍，钛和其他材料制成。它的半导体材料由硅或芳烃制成，大多数N型半导体制成。此类设备有利于大多数载体，因此它们的反向饱和电流大于带有最小载体的PN连接器。由于少数载体对Schottky二极管的存储效果非常小，因此其频率响应E仅限于RC时间相同，因此它是高频和快速移动的理想设备。它的工作频率可以达到100GHz。此外，可以使用MIS（金属 - 绝缘子 - 轴向导向器）Schottky二极管生产太阳能电池或发光二极管。 16。阻尼二极管具有高逆转电压和峰值电流，小的正向电压塌陷以及高频高压整流二极管二极管，用于在电视线扫描线上阻尼和增强整流器。 17。根据峰值功率（500W -5000W）和电压（8.2V〜200V）分类，瞬态电压抑制二极管二极管二极管二极管二极管二极管二极管对电路的过压快速保护。 18。具有两个碱基和发射极的三个负电阻器件用于单数振荡电路和读取正时电压的电路。它具有易于修复和良好温度稳定性的优势。 19。发光二极管由GA制成磷化物和磷酸盐砷材料。它的尺寸很小，可以驱动光线向前方向释放。工作电压低，工作电流很小，光线相等，寿命很长，并且可以释放红色，黄色和绿色的单色光。 3。按特征分类点触点，并根据以下方式对其进行分类。 1。通常，使用点触点二极管。如标题所示，二极管通常在发现和校正电路中使用。这些是中间产品，它们没有特别好或特别糟糕的前进性和逆转性能。示例：SD34，SD46、1N34A等属于此类别。 2。高反向电压 - 绘制点接触二极管是具有高峰值反向电压和最大直流反向电压的产品。用于检测和校正高压电路。这种类型的二极管通常会较差，或者通常很好。在点接触式锗二极管中，有SD38、1N38A，OA81等。当需要更高的要求时，会有硅合金和扩散类型。 3。高反向电阻点触点二极管的电压正向与一般二极管中使用的二极管相同。尽管这种反向电压特别高，但反向电流很小，因此其优势是反向电阻很高。在高输入电阻和高载荷电阻电路中使用的电路中，SD54、1N54A等。4。高传导点接触二极管二极管二极管二极管与高类型的电阻相反。尽管其倒置性能很困难，但正向电阻变小。对于高导向点触点二极管，有SD56、1N56A等。对于粘合类型的高型NG传导，可以获得更好的特性。当加载电阻特别低时，这种类型的二极管具有较高的校正效率。